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Semiconductores Research Corporation (SRC) junto con los investigadores de la Universidad de Yale anunciaron el martes que han encontrado una manera de aumentar significativamente el rendimiento de los chips de DRAM. Las mejoras se derivan del uso de capas ferroeléctricas que no requiere el uso de un condensador de almacenamiento que se encuentran en las células convencionales DRAM. La capas ferroeléctricas llamadas (FeDRAM), tienen una estructura celular que se asemeja a la de un transistor CMOS.
Las ventajas específicas son la mejora de la escalabilidad, menor tamaño de la celda, un mínimo de 1.000 veces más tiempo de retención y disminuir el consumo de energía. Existe también la posibilidad de almacenar varios bits por celda, como en los chips de memoria flash. La industria manufacturera, dicen que los chips también sería menos complicado y, por tanto, menos costoso.

Los investigadores se centran ahora en la creación de prototipo FeDRAM , con el apoyo de otras empresas y miembros SRC, la producción de chips de FeDRAM llegan al mercado en un futuro no muy lejano.